ซื้อ SI2305CDS-T1-GE3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (สูงสุด): | ±8V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SOT-23-3 (TO-236) |
| ชุด: | TrenchFET® |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 35 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 960mW (Ta), 1.7W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ชื่ออื่น: | SI2305CDS-T1-GE3-ND SI2305CDS-T1-GE3TR SI2305CDST1GE3 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 24 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | SI2305CDS-T1-GE3 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 960pF @ 4V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 30nC @ 8V |
| ประเภท FET: | P-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | P-Channel 8V 5.8A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 8V |
| ลักษณะ: | MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 5.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |