SI2301CDS-T1-E3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SI2301CDS-T1-E3
ผู้ผลิต:
Vishay / Siliconix
ลักษณะ:
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
15857 Pieces
แผ่นข้อมูล:
SI2301CDS-T1-E3.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ SI2301CDS-T1-E3 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา SI2301CDS-T1-E3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SI2301CDS-T1-E3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±8V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SOT-23-3 (TO-236)
ชุด:TrenchFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:112 mOhm @ 2.8A, 4.5V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):860mW (Ta), 1.6W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ชื่ออื่น:SI2301CDS-T1-E3-ND
SI2301CDS-T1-E3TR
SI2301CDST1E3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:15 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:SI2301CDS-T1-E3
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:405pF @ 10V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:10nC @ 4.5V
ประเภท FET:P-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:P-Channel 20V 3.1A (Tc) 860mW (Ta), 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):20V
ลักษณะ:MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:3.1A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ