SGM2N60UFTF - Fairchild/ON Semiconductor - ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว SGM2N60UFTF

SGM2N60UFTF

รุ่นผลิตภัณฑ์:: SGM2N60UFTF

ผู้ผลิต:: Fairchild/ON Semiconductor

ลักษณะ:: IGBT 600V 2.4A 2.1W SOT-223

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 16623 Pieces

แผ่นข้อมูล:: 1.SGM2N60UFTF.pdf 2.SGM2N60UFTF.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ SGM2N60UFTF เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา SGM2N60UFTF ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ SGM2N60UFTF กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):	600V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:	2.6V @ 15V, 1.2A
ทดสอบสภาพ:	300V, 1.2A, 200 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:	15ns/80ns
การสลับพลังงาน:	30µJ (on), 13µJ (off)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	SOT-223-4
ชุด:	-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:	2.1W
บรรจุภัณฑ์:	Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	TO-261-4, TO-261AA
อุณหภูมิในการทำงาน:	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:	Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	SGM2N60UFTF
ประเภทขาเข้า:	Standard
ประเภท IGBT:	-
ค่าใช้จ่ายประตู:	9nC
ขยายคำอธิบาย:	IGBT 600V 2.4A 2.1W Surface Mount SOT-223-4
ลักษณะ:	IGBT 600V 2.4A 2.1W SOT-223
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):	10A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):	2.4A
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SGM2N60UFTF

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
SGR20N40LTF	Fairchild/ON Semiconductor	IGBT 400V 45W DPAK	การสอบสวน
STGP20V60DF	STMicroelectronics	IGBT 600V 40A 167W TO220AB	การสอบสวน
IRG8CH20K10D	Infineon Technologies	IGBT 1200V ULTRA FAST DIE	การสอบสวน
STGW80V60DF	STMicroelectronics	IGBT 600V 120A 469W TO247	การสอบสวน
IKD06N60RFATMA1	Infineon Technologies	IGBT 600V 12A 100W PG-TO252-3	การสอบสวน
IXGA12N120A2	IXYS	IGBT 1200V 24A 75W TO263	การสอบสวน
IRG7CH46UEF	Infineon Technologies	IGBT 1200V ULTRA FAST DIE	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest