SG2003J-883B - Microsemi Corporation - ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อาร์เรย์ SG2003J-883B

SG2003J-883B

รุ่นผลิตภัณฑ์:: SG2003J-883B

ผู้ผลิต:: Microsemi

ลักษณะ:: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 13770 Pieces

แผ่นข้อมูล:: SG2003J-883B.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ SG2003J-883B เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา SG2003J-883B ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ SG2003J-883B กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):	50V
VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic:	1.6V @ 500µA, 350mA
ประเภททรานซิสเตอร์:	7 NPN Darlington
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	16-CDIP
ชุด:	-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:	-
บรรจุภัณฑ์:	Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	16-CDIP (0.300", 7.62mm)
ชื่ออื่น:	1259-1081 1259-1081-MIL Q10386303 SG2003J883B
อุณหภูมิในการทำงาน:	150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:	Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	SG2003J-883B
ความถี่ - การเปลี่ยน:	-
ขยายคำอธิบาย:	Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP
ลักษณะ:	TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE:	1000 @ 350mA, 2V
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):	-
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):	500mA
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SG2003J-883B

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
SG2003J-JAN	Microsemi Corporation	TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP	การสอบสวน
SG2003J	Microsemi Corporation	TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP	การสอบสวน
MMDT4403-7-F	Diodes Incorporated	TRANS 2PNP 40V 0.6A SOT363	การสอบสวน
ULN2802A	STMicroelectronics	TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP	การสอบสวน
DMC204020R	Panasonic Electronic Components	TRANS 2NPN 50V 0.5A MINI6	การสอบสวน
SSM2220S	Analog Devices Inc.	TRANS 2PNP 36V 0.02A 8SOIC	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest