ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF > SD57120
SD57120
SD57120
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SD57120
ผู้ผลิต:
ST
ลักษณะ:
FET RF 65V 960MHZ M252
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
19012 Pieces
แผ่นข้อมูล:
SD57120.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ SD57120 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา SD57120 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SD57120 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:28V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:65V
ประเภททรานซิสเตอร์:LDMOS
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:M252
ชุด:-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:120W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:M252
ชื่ออื่น:497-5481-5
SD57120-ND
เสียงรบกวนเต็มตัว:-
ระดับความไวของความชื้น (MSL):3 (168 Hours)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:17 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:SD57120
ได้รับ:14dB
ความถี่:960MHz
ขยายคำอธิบาย:RF Mosfet LDMOS 28V 800mA 960MHz 14dB 120W M252
ลักษณะ:FET RF 65V 960MHZ M252
พิกัดกระแส:14A
ปัจจุบัน - การทดสอบ:800mA
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SD57120

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
BLF573,112 Image BLF573,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502A การสอบสวน
BLP10H610AZ Image BLP10H610AZ Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN การสอบสวน
BLC8G27LS-240AVJ Image BLC8G27LS-240AVJ Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12521 การสอบสวน
PTFA092213ELV4R0XTMA1 Infineon Technologies RFP-LDMOS GOLDMOS 8 การสอบสวน
BLF6G27LS-100,118 NXP USA Inc. TRANS PWR LDMOS SOT502 การสอบสวน
MRF19085LR3 Image MRF19085LR3 NXP USA Inc. FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 การสอบสวน
BLF145,112 Image BLF145,112 Ampleon USA Inc. RF FET NCHA 65V 27DB SOT123A การสอบสวน
MRF5P20180HR5 NXP USA Inc. FET RF 65V 1.99GHZ NI-1230 การสอบสวน
MRF7S18125AHSR3 NXP USA Inc. FET RF 65V 1.88GHZ NI780S การสอบสวน
MRF8P20165WHSR3 Image MRF8P20165WHSR3 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4 การสอบสวน
MHT1006NT1 Image MHT1006NT1 NXP USA Inc. FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W การสอบสวน
BLF7G15LS-300P,118 Image BLF7G15LS-300P,118 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539B การสอบสวน
BLF8G27LS-100V,118 Image BLF8G27LS-100V,118 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244B การสอบสวน

ข่าว Latest