RT1A050ZPTR
RT1A050ZPTR
รุ่นผลิตภัณฑ์:
RT1A050ZPTR
ผู้ผลิต:
LAPIS Semiconductor
ลักษณะ:
MOSFET P-CH 12V 5A TSST8
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
16695 Pieces
แผ่นข้อมูล:
RT1A050ZPTR.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ RT1A050ZPTR เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา RT1A050ZPTR ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ RT1A050ZPTR กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (สูงสุด):±10V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:8-TSST
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:26 mOhm @ 5A, 4.5V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):600mW (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:8-SMD, Flat Lead
อุณหภูมิในการทำงาน:150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:10 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:RT1A050ZPTR
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:2800pF @ 6V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:34nC @ 4.5V
ประเภท FET:P-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:P-Channel 12V 5A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):12V
ลักษณะ:MOSFET P-CH 12V 5A TSST8
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:5A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ