RN1610(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage - ทรานซิสเตอร์ - Bipolar (BJT) - อาร์เรย์, Pre-Biase RN1610(TE85L,F)

RN1610(TE85L,F)

รุ่นผลิตภัณฑ์:: RN1610(TE85L,F)

ผู้ผลิต:: Toshiba Semiconductor

ลักษณะ:: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 17698 Pieces

แผ่นข้อมูล:: RN1610(TE85L,F).pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ RN1610(TE85L,F) เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา RN1610(TE85L,F) ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ RN1610(TE85L,F) กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):	50V
VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic:	300mV @ 250µA, 5mA
ประเภททรานซิสเตอร์:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	SM6
ชุด:	-
ต้านทาน - Emitter ฐาน (R2) (โอห์ม):	-
ต้านทาน - ฐาน (R1) (โอห์ม):	4.7k
เพาเวอร์ - แม็กซ์:	300mW
บรรจุภัณฑ์:	Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	SC-74, SOT-457
ชื่ออื่น:	RN1610(TE85LF)TR
ประเภทการติดตั้ง:	Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	RN1610(TE85L,F)
ความถี่ - การเปลี่ยน:	250MHz
ขยายคำอธิบาย:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
ลักษณะ:	TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE:	120 @ 1mA, 5V
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):	100nA (ICBO)
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):	100mA
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ RN1610(TE85L,F)

ภาพ	รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
	RN1611(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6	การสอบสวน
	EMH59T2R	Rohm Semiconductor	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest