RJP4301APP-M0#T2 - Renesas Electronics America - ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว RJP4301APP-M0#T2

RJP4301APP-M0#T2

รุ่นผลิตภัณฑ์:: RJP4301APP-M0#T2

ผู้ผลิต:: Renesas Electronics America

ลักษณะ:: IGBT 430V TO200FL

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 19851 Pieces

แผ่นข้อมูล:: RJP4301APP-M0#T2.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ RJP4301APP-M0#T2 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา RJP4301APP-M0#T2 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ RJP4301APP-M0#T2 กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):	430V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:	10V @ 26V, 200A
ทดสอบสภาพ:	300V, 200A, 30 Ohm, 26V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:	50ns/100ns
การสลับพลังงาน:	-
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	TO-220FL
ชุด:	-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:	30W
บรรจุภัณฑ์:	Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	TO-220-3 Full Pack
อุณหภูมิในการทำงาน:	-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:	Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:	16 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	RJP4301APP-M0#T2
ประเภทขาเข้า:	Standard
ประเภท IGBT:	-
ขยายคำอธิบาย:	IGBT 430V 30W Through Hole TO-220FL
ลักษณะ:	IGBT 430V TO200FL
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):	200A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):	-
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ RJP4301APP-M0#T2

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
SGP04N60XKSA1	Infineon Technologies	IGBT 600V 9.4A 50W TO220-3	การสอบสวน
IXGH30N60C2D1	IXYS	IGBT 600V 70A 190W TO247	การสอบสวน
IXGA7N60CD1	IXYS	IGBT 600V 14A 75W TO263	การสอบสวน
STGB40H65FB	STMicroelectronics	TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB	การสอบสวน
FGH60N60SMD_F085	Fairchild/ON Semiconductor	IGBT 600V 120A 600W TO247	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest