ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > RGTH00TS65GC11
RGTH00TS65GC11
RGTH00TS65GC11
รุ่นผลิตภัณฑ์:
RGTH00TS65GC11
ผู้ผลิต:
LAPIS Semiconductor
ลักษณะ:
IGBT 650V 85A 277W TO-247N
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
12643 Pieces
แผ่นข้อมูล:
RGTH00TS65GC11.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ RGTH00TS65GC11 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา RGTH00TS65GC11 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ RGTH00TS65GC11 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):650V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:2.1V @ 15V, 50A
ทดสอบสภาพ:400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:39ns/143ns
การสลับพลังงาน:-
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-247N
ชุด:-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:277W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:15 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:RGTH00TS65GC11
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:Trench Field Stop
ค่าใช้จ่ายประตู:94nC
ขยายคำอธิบาย:IGBT Trench Field Stop 650V 85A 277W Through Hole TO-247N
ลักษณะ:IGBT 650V 85A 277W TO-247N
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):200A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):85A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ RGTH00TS65GC11

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
RGTH00TS65DGC11 Image RGTH00TS65DGC11 Rohm Semiconductor IGBT 650V 85A 277W TO-247N การสอบสวน
RJP60D0DPP-M0#T2 Image RJP60D0DPP-M0#T2 Renesas Electronics America IGBT 600V 45A 35W TO-220FL การสอบสวน
IHD06N60RA Image IHD06N60RA Infineon Technologies IGBT 600V 12A 88W TO252-3 การสอบสวน
APT15GT60BRDQ1G Image APT15GT60BRDQ1G Microsemi Corporation IGBT 600V 42A 184W TO247 การสอบสวน
IRG4PC40FPBF Image IRG4PC40FPBF Infineon Technologies IGBT 600V 49A 160W TO247AC การสอบสวน
FGB3040CS Image FGB3040CS Fairchild/ON Semiconductor IGBT 430V 21A 150W TO263-6 การสอบสวน
HGT1S12N60A4DS Image HGT1S12N60A4DS Fairchild/ON Semiconductor IGBT 600V 54A 167W D2PAK การสอบสวน
APT25GT120BRG Image APT25GT120BRG Microsemi Corporation IGBT 1200V 54A 347W TO247 การสอบสวน
IRG4PC60U-PPBF Image IRG4PC60U-PPBF Infineon Technologies IGBT 600V 75A 520W TO247AC การสอบสวน
IKW50N65H5AXKSA1 Image IKW50N65H5AXKSA1 Infineon Technologies IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 การสอบสวน
NGB8207ANT4G Image NGB8207ANT4G ON Semiconductor IGBT 365V 20A 165W D2PAK3 การสอบสวน
STGWT40H65FB Image STGWT40H65FB STMicroelectronics IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L การสอบสวน
IXGP42N30C3 Image IXGP42N30C3 IXYS IGBT 300V 223W TO220AB การสอบสวน

ข่าว Latest