ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > RGT30NS65DGTL
RGT30NS65DGTL
RGT30NS65DGTL
รุ่นผลิตภัณฑ์:
RGT30NS65DGTL
ผู้ผลิต:
LAPIS Semiconductor
ลักษณะ:
IGBT 650V 30A 133W TO-263S
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
15887 Pieces
แผ่นข้อมูล:
RGT30NS65DGTL.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ RGT30NS65DGTL เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา RGT30NS65DGTL ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ RGT30NS65DGTL กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):650V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:2.1V @ 15V, 15A
ทดสอบสภาพ:400V, 15A, 10 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:18ns/64ns
การสลับพลังงาน:-
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:LPDS (TO-263S)
ชุด:-
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR):55ns
เพาเวอร์ - แม็กซ์:133W
บรรจุภัณฑ์:Original-Reel®
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ชื่ออื่น:RGT30NS65DGTLDKR
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:15 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:RGT30NS65DGTL
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:Trench Field Stop
ค่าใช้จ่ายประตู:32nC
ขยายคำอธิบาย:IGBT Trench Field Stop 650V 30A 133W Surface Mount LPDS (TO-263S)
ลักษณะ:IGBT 650V 30A 133W TO-263S
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):45A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):30A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ RGT30NS65DGTL

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
IKW75N65EL5XKSA1 Image IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3 การสอบสวน
STGWS38IH130D Image STGWS38IH130D STMicroelectronics IGBT 1300V 55A 180W TO247 การสอบสวน
STGWA80H65FB Image STGWA80H65FB STMicroelectronics IGBT 650V 120A 469W TO247 การสอบสวน
IRG4RC10UTRLPBF Infineon Technologies IGBT 600V 8.5A 38W DPAK การสอบสวน
IXGH24N120C3 Image IXGH24N120C3 IXYS IGBT 1200V 48A 250W TO247 การสอบสวน
IKW30N65NL5XKSA1 Image IKW30N65NL5XKSA1 Infineon Technologies IGBT 650V 30A UFAST DIO TO247-3 การสอบสวน
IRGR4607DTRPBF Image IRGR4607DTRPBF Infineon Technologies IGBT 600V 11A 58W DPAK การสอบสวน
STGW15H120DF2 Image STGW15H120DF2 STMicroelectronics IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247 การสอบสวน
APT95GR65JDU60 Microsemi Corporation INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO การสอบสวน
SGP23N60UFDTU Fairchild/ON Semiconductor IGBT 600V 23A 100W TO220 การสอบสวน
IXYK140N90C3 IXYS IGBT 900V 310A 1630W TO264 การสอบสวน
FGA20N120FTDTU Image FGA20N120FTDTU Fairchild/ON Semiconductor IGBT 1200V 40A 298W TO3PN การสอบสวน

ข่าว Latest