ซื้อ R6009KNJTL กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 5V @ 1mA |
---|---|
Vgs (สูงสุด): | ±20V |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-263 |
ชุด: | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 535 mOhm @ 2.8A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 94W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
ชื่ออื่น: | R6009KNJTLTR |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 17 Weeks |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | R6009KNJTL |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 540pF @ 25V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 16.5nC @ 10V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | Schottky Diode (Isolated) |
ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 600V 9A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount TO-263 |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 600V |
ลักษณะ: | MOSFET N-CH 600V 9A TO263-3 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 9A (Tc) |
Email: | [email protected] |