ซื้อ PTFA092201E V1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
PTFA092201E V1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- PTFA092201E V1
- ลักษณะ:
- FET RF 65V 960MHZ H-36260-2
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 12203 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- PTFA092201E V1.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ PTFA092201E V1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา PTFA092201E V1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | 30V |
|---|---|
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 65V |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | LDMOS |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | H-36260-2 |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท: | 220W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tray |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 2-Flatpack, Fin Leads |
| ชื่ออื่น: | SP000235920 |
| เสียงรบกวนเต็มตัว: | - |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | PTFA092201E V1 |
| ได้รับ: | 18.5dB |
| ความถี่: | 960MHz |
| ขยายคำอธิบาย: | RF Mosfet LDMOS 30V 1.85A 960MHz 18.5dB 220W H-36260-2 |
| ลักษณะ: | FET RF 65V 960MHZ H-36260-2 |
| พิกัดกระแส: | 10µA |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ: | 1.85A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ PTFA092201E V1
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFA092211FLV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS | การสอบสวน |
|
PTFA092201F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 | การสอบสวน |
|
PTFA092201FV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 | การสอบสวน |
 |
PTFA092201EV4R0XTMA1 | Infineon Technologies | RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2 | การสอบสวน |
|
PTFA092211FLV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS | การสอบสวน |
 |
PTFA092211ELV4XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF LDMOS 220W H33288-2 | การสอบสวน |
|
PTFA092201EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 960MHZ H-36260-2 | การสอบสวน |
|
PTFA092201FV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 | การสอบสวน |
|
PTFA092213ELV4R250XTMA2 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS H-33288-6 | การสอบสวน |
|
PTFA092213ELV4T400XWSA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS H-33288-6 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog