ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > การป้องกันวงจร > TVS - ไดโอด > PRTR5V0U6AS,118
PRTR5V0U6AS,118
รุ่นผลิตภัณฑ์:
PRTR5V0U6AS,118
ผู้ผลิต:
NXP Semiconductors / Freescale
ลักษณะ:
TVS DIODE 3VWM 8SOIC
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
16752 Pieces
แผ่นข้อมูล:
PRTR5V0U6AS,118.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ PRTR5V0U6AS,118 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา PRTR5V0U6AS,118 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ PRTR5V0U6AS,118 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - Reverse Standoff (ประเภท):3V
แรงดันไฟฟ้า - การยึด (สูงสุด) @ Ipp:-
แรงดันไฟฟ้า - รายละเอียด (ต่ำสุด):6V
ช่องทางแบบทิศทางเดียว:6
ชนิด:Steering (Rail to Rail)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:8-SO
ชุด:-
การป้องกันสายไฟ:Yes
พลังงาน - Peak Pulse:-
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ชื่ออื่น:934058882118
PRTR5V0U6AS /T3
PRTR5V0U6AS /T3-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°C ~ 85°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:PRTR5V0U6AS,118
ลักษณะ:TVS DIODE 3VWM 8SOIC
ปัจจุบัน - Peak Pulse (10 / 1000μs):-
การประจุกระแสไฟ @ ความถี่:1pF @ 1MHz
การประยุกต์ใช้งาน:General Purpose
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ PRTR5V0U6AS,118

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
PRTR5V0U6S,118 NXP USA Inc. TVS DIODE 3VWM 8SOIC การสอบสวน
PRTR5V0U1T,215 Image PRTR5V0U1T,215 NXP USA Inc. TVS DIODE 5.5VWM SOT23 การสอบสวน
PRTR5V0U2D,115 Image PRTR5V0U2D,115 NXP USA Inc. TVS DIODE 5.5VWM 6TSOP การสอบสวน
PRTR5V0U4Y,125 NXP USA Inc. TVS DIODE 5.5VWM 6TSSOP การสอบสวน
20KPA112-B Image 20KPA112-B Littelfuse Inc. TVS DIODE 112VWM 191.1VC P600 การสอบสวน
PRTR5V0U2K,132 Image PRTR5V0U2K,132 NXP USA Inc. TVS DIODE 5.5VWM SOT891 การสอบสวน
PRTR5V0U8S,118 Image PRTR5V0U8S,118 NXP USA Inc. TVS DIODE 5.5VWM 10TSSOP การสอบสวน
PRTR5V0U4AD,125 Image PRTR5V0U4AD,125 NXP USA Inc. TVS DIODE 5.5VWM 6TSOP การสอบสวน
MAPLAD18KP26AE3 Microsemi Corporation HIGH POWER TVS SURFACE MOUNT DEV การสอบสวน
P6SMB39A-E3/5B Image P6SMB39A-E3/5B Vishay Semiconductor Diodes Division TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC SMB การสอบสวน
P4KE24AHE3/73 Image P4KE24AHE3/73 Vishay Semiconductor Diodes Division TVS DIODE 20.5VWM 33.2VC AXIAL การสอบสวน
LC12 Microsemi Corporation TVS DIODE 12VWM 22VC DO202AA การสอบสวน

ข่าว Latest