PMWD16UN,518
รุ่นผลิตภัณฑ์:
PMWD16UN,518
ผู้ผลิต:
NXP Semiconductors / Freescale
ลักษณะ:
MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
12613 Pieces
แผ่นข้อมูล:
PMWD16UN,518.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ PMWD16UN,518 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา PMWD16UN,518 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ PMWD16UN,518 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:700mV @ 1mA
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:8-TSSOP
ชุด:TrenchMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:19 mOhm @ 3.5A, 4.5V
เพาเวอร์ - แม็กซ์:3.1W
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ชื่ออื่น:568-2360-2
934057596518
PMWD16UN /T3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:PMWD16UN,518
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:1366pF @ 16V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:23.6nC @ 4.5V
ประเภท FET:2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติ FET:Logic Level Gate
ขยายคำอธิบาย:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9.9A 3.1W Surface Mount 8-TSSOP
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):20V
ลักษณะ:MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:9.9A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ