ซื้อ PBRN113ZS,126 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 40V |
---|---|
VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic: | 1.15V @ 8mA, 800mA |
ประเภททรานซิสเตอร์: | NPN - Pre-Biased |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-92-3 |
ชุด: | - |
ต้านทาน - Emitter ฐาน (R2) (โอห์ม): | 10k |
ต้านทาน - ฐาน (R1) (โอห์ม): | 1k |
เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 700mW |
บรรจุภัณฑ์: | Tape & Box (TB) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
ชื่ออื่น: | 934059136126 PBRN113ZS AMO PBRN113ZS AMO-ND |
ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | PBRN113ZS,126 |
ความถี่ - การเปลี่ยน: | - |
ขยายคำอธิบาย: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3 |
ลักษณะ: | TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3 |
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE: | 500 @ 300mA, 5V |
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด): | 500nA |
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 800mA |
Email: | [email protected] |