ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ > NVJD5121NT1G
NVJD5121NT1G
NVJD5121NT1G
รุ่นผลิตภัณฑ์:
NVJD5121NT1G
ผู้ผลิต:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
ลักษณะ:
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
17399 Pieces
แผ่นข้อมูล:
NVJD5121NT1G.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ NVJD5121NT1G เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา NVJD5121NT1G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NVJD5121NT1G กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.5V @ 250µA
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SC-88/SC70-6/SOT-363
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:1.6 Ohm @ 500mA, 10V
เพาเวอร์ - แม็กซ์:250mW
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:10 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:NVJD5121NT1G
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:26pF @ 20V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:0.9nC @ 4.5V
ประเภท FET:2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติ FET:Standard
ขยายคำอธิบาย:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 295mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):60V
ลักษณะ:MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:295mA
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NVJD5121NT1G

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
VWM350-0075P IXYS MOSFET 6N-CH 75V 340A V2 การสอบสวน
SI5904DC-T1-E3 Image SI5904DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8 การสอบสวน
SI4936CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC การสอบสวน
SI1988DH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6 การสอบสวน
AUIRF7313QTR Image AUIRF7313QTR Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC การสอบสวน
SQJ974EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET ARRAY 2N-CH 100V SO8 การสอบสวน
SP8M70TB1 Image SP8M70TB1 Rohm Semiconductor MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC การสอบสวน
BUK7K89-100EX Image BUK7K89-100EX Nexperia USA Inc. MOSFET 2N-CH 100V 13A LFPAK56 การสอบสวน
SI4953ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC การสอบสวน
SI4931DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC การสอบสวน
SI5999EDU-T1-GE3 Image SI5999EDU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK การสอบสวน

ข่าว Latest