ซื้อ NTMS5P02R2G กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 1.25V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (สูงสุด): | ±10V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-SOIC |
| ชุด: | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 33 mOhm @ 5.4A, 4.5V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 790mW (Ta) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ชื่ออื่น: | NTMS5P02R2GOS NTMS5P02R2GOS-ND NTMS5P02R2GOSTR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 15 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | NTMS5P02R2G |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 1900pF @ 16V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 35nC @ 4.5V |
| ประเภท FET: | P-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | P-Channel 20V 3.95A (Ta) 790mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 20V |
| ลักษณะ: | MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 3.95A (Ta) |
| Email: | [email protected] |