NTLJF3117PTAG
NTLJF3117PTAG
รุ่นผลิตภัณฑ์:
NTLJF3117PTAG
ผู้ผลิต:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
ลักษณะ:
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
13687 Pieces
แผ่นข้อมูล:
NTLJF3117PTAG.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ NTLJF3117PTAG เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา NTLJF3117PTAG ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NTLJF3117PTAG กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:1V @ 250µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:6-WDFN (2x2)
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 2A, 4.5V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):710mW (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:6-WDFN Exposed Pad
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:NTLJF3117PTAG
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:531pF @ 10V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:6.2nC @ 4.5V
ประเภท FET:P-Channel
คุณสมบัติ FET:Schottky Diode (Isolated)
ขยายคำอธิบาย:P-Channel 20V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):20V
ลักษณะ:MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:2.3A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ