NTHD3101FT1G
NTHD3101FT1G
รุ่นผลิตภัณฑ์:
NTHD3101FT1G
ผู้ผลิต:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
ลักษณะ:
MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
19377 Pieces
แผ่นข้อมูล:
NTHD3101FT1G.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ NTHD3101FT1G เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา NTHD3101FT1G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NTHD3101FT1G กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±8V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:ChipFET™
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:80 mOhm @ 3.2A, 4.5V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):1.1W (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:8-SMD, Flat Lead
ชื่ออื่น:NTHD3101FT1GOSTR
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:20 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:NTHD3101FT1G
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:680pF @ 10V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:7.4nC @ 4.5V
ประเภท FET:P-Channel
คุณสมบัติ FET:Schottky Diode (Isolated)
ขยายคำอธิบาย:P-Channel 20V 3.2A (Tj) 1.1W (Ta) Surface Mount ChipFET™
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):20V
ลักษณะ:MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:3.2A (Tj)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ