ซื้อ NTD2955T4G กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (สูงสุด): | ±20V |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | DPAK |
ชุด: | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 180 mOhm @ 6A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 55W (Tj) |
บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
ชื่ออื่น: | NTD2955T4GOSTR |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 19 Weeks |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | NTD2955T4G |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 750pF @ 25V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
ประเภท FET: | P-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | P-Channel 60V 12A (Ta) 55W (Tj) Surface Mount DPAK |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 60V |
ลักษณะ: | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 12A (Ta) |
Email: | [email protected] |