NTD23N03R-001
NTD23N03R-001
รุ่นผลิตภัณฑ์:
NTD23N03R-001
ผู้ผลิต:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 25V 3.8A IPAK
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
13650 Pieces
แผ่นข้อมูล:
NTD23N03R-001.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ NTD23N03R-001 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา NTD23N03R-001 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NTD23N03R-001 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2V @ 250µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:I-Pak
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:45 mOhm @ 6A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):1.14W (Ta), 22.3W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
ชื่ออื่น:NTD23N03R-001OS
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:NTD23N03R-001
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:225pF @ 20V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:3.76nC @ 4.5V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 25V 3.8A (Ta), 17.1A (Tc) 1.14W (Ta), 22.3W (Tc) Through Hole I-Pak
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):25V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 25V 3.8A IPAK
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:3.8A (Ta), 17.1A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ