NSVMUN5314DW1T3G
NSVMUN5314DW1T3G
รุ่นผลิตภัณฑ์:
NSVMUN5314DW1T3G
ผู้ผลิต:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
ลักษณะ:
TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
17375 Pieces
แผ่นข้อมูล:
NSVMUN5314DW1T3G.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ NSVMUN5314DW1T3G เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา NSVMUN5314DW1T3G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NSVMUN5314DW1T3G กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):50V
VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
ประเภททรานซิสเตอร์:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SC-88/SC70-6/SOT-363
ชุด:-
ต้านทาน - Emitter ฐาน (R2) (โอห์ม):47k
ต้านทาน - ฐาน (R1) (โอห์ม):10k
เพาเวอร์ - แม็กซ์:250mW
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:10 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:NSVMUN5314DW1T3G
ความถี่ - การเปลี่ยน:-
ขยายคำอธิบาย:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
ลักษณะ:TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE:80 @ 5mA, 10V
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):500nA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):100mA
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ