NSS1C201MZ4T1G - ON Semiconductor - ทรานซิสเตอร์ - Bipolar (BJT) - เดี่ยว NSS1C201MZ4T1G

NSS1C201MZ4T1G

รุ่นผลิตภัณฑ์:: NSS1C201MZ4T1G

ผู้ผลิต:: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

ลักษณะ:: TRANS NPN 100V 2A SOT223-4

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 18265 Pieces

แผ่นข้อมูล:: NSS1C201MZ4T1G.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ NSS1C201MZ4T1G เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา NSS1C201MZ4T1G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ NSS1C201MZ4T1G กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):	100V
VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic:	180mV @ 200mA, 2A
ประเภททรานซิสเตอร์:	NPN
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	SOT-223
ชุด:	-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:	800mW
บรรจุภัณฑ์:	Original-Reel®
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	TO-261-4, TO-261AA
ชื่ออื่น:	NSS1C201MZ4T1GOSDKR
อุณหภูมิในการทำงาน:	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:	Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:	6 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	NSS1C201MZ4T1G
ความถี่ - การเปลี่ยน:	100MHz
ขยายคำอธิบาย:	Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 2A 100MHz 800mW Surface Mount SOT-223
ลักษณะ:	TRANS NPN 100V 2A SOT223-4
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE:	120 @ 500mA, 2V
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):	100nA (ICBO)
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):	2A
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NSS1C201MZ4T1G

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
NSS1C201LT1G	ON Semiconductor	TRANS NPN 100V 2A SOT-23	การสอบสวน
NSS1C300ET4G	ON Semiconductor	TRANS PNP 100V 3A 3DPAK	การสอบสวน
NSS1C201MZ4T3G	ON Semiconductor	TRANS NPN 100V 2A SOT223-4	การสอบสวน
NSS1C200LT1G	ON Semiconductor	TRANS PNP 100V 2A SOT-23	การสอบสวน
NSS1C301ET4G	ON Semiconductor	TRANS NPN 100V 3A 3DPAK	การสอบสวน
NSS1C200MZ4T3G	ON Semiconductor	TRANS PNP 100V 2A SOT-223	การสอบสวน
NSS1C200MZ4T1G	ON Semiconductor	TRANS PNP 100V 2A SOT223	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest