NSB13211DW6T1G - ON Semiconductor - ทรานซิสเตอร์ - Bipolar (BJT) - อาร์เรย์, Pre-Biase NSB13211DW6T1G

NSB13211DW6T1G

รุ่นผลิตภัณฑ์:: NSB13211DW6T1G

ผู้ผลิต:: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

ลักษณะ:: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 15989 Pieces

แผ่นข้อมูล:: NSB13211DW6T1G.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ NSB13211DW6T1G เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา NSB13211DW6T1G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ NSB13211DW6T1G กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):	50V
VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic:	250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 1mA, 10mA
ประเภททรานซิสเตอร์:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	SC-88/SC70-6/SOT-363
ชุด:	-
ต้านทาน - Emitter ฐาน (R2) (โอห์ม):	4.7k, 10k
ต้านทาน - ฐาน (R1) (โอห์ม):	4.7k, 10k
เพาเวอร์ - แม็กซ์:	230mW
บรรจุภัณฑ์:	Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ประเภทการติดตั้ง:	Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	NSB13211DW6T1G
ความถี่ - การเปลี่ยน:	-
ขยายคำอธิบาย:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
ลักษณะ:	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE:	35 @ 5mA, 10V / 15 @ 5mA, 10V
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):	500nA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):	100mA
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NSB13211DW6T1G

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
NSB13ANT3G	ON Semiconductor	TVS DIODE 13VWM 21.5VC SMB	การสอบสวน
PEMH1,115	Nexperia USA Inc.	TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666	การสอบสวน
NSBC123JPDXV6T1G	ON Semiconductor	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563	การสอบสวน
UP0421300L	Panasonic Electronic Components	TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI6	การสอบสวน
NSVMUN5233DW1T3G	ON Semiconductor	TRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest