NP88N03KDG-E1-AY
NP88N03KDG-E1-AY
รุ่นผลิตภัณฑ์:
NP88N03KDG-E1-AY
ผู้ผลิต:
Renesas Electronics America
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 30V 88A TO-263
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
16221 Pieces
แผ่นข้อมูล:
NP88N03KDG-E1-AY.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ NP88N03KDG-E1-AY เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา NP88N03KDG-E1-AY ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NP88N03KDG-E1-AY กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.5V @ 250µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-263
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:2.4 mOhm @ 44A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):1.8W (Ta), 200W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ชื่ออื่น:NP88N03KDG-E1-AY-ND
NP88N03KDG-E1-AYTR
อุณหภูมิในการทำงาน:175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:NP88N03KDG-E1-AY
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:13500pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:250nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 30V 88A (Tc) 1.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount TO-263
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):30V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 30V 88A TO-263
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:88A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ