ซื้อ NOSC686M004R0200 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
NOSC686M004R0200
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- NOSC686M004R0200
- ผู้ผลิต:
- AVX Corporation
- ลักษณะ:
- CAP NIOB OXIDE 68UF 20% 4V 2312
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 16385 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- NOSC686M004R0200.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ NOSC686M004R0200 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา NOSC686M004R0200 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 4V |
|---|---|
| ความอดทน: | ±20% |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 2312 (6032 Metric) |
| ขนาด / มิติ: | 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) |
| ชุด: | OxiCap® NOS |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 2312 (6032 Metric) |
| ชื่ออื่น: | 478-3234-2 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 125°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 15 Weeks |
| ผู้ผลิตรหัสขนาด: | C |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | NOSC686M004R0200 |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.110" (2.80mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | Low ESR |
| ขยายคำอธิบาย: | 68µF Niobium Oxide Capacitor 4V 2312 (6032 Metric) 200 mOhm ESR |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | 200 mOhm |
| ตัวประกอบการสูญเสีย: | 6% |
| ลักษณะ: | CAP NIOB OXIDE 68UF 20% 4V 2312 |
| ปัจจุบัน - การรั่วไหล: | 5.4µA |
| ปริมาตร: | 68µF |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NOSC686M004R0200
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
NOSC686M002S0200 | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 68UF 20% 2.5V 2312 | การสอบสวน |
|
NOSC686M006R0075 | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 68UF 20% 6.3V 2312 | การสอบสวน |
|
NOSC686M006R0200 | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 68UF 20% 6.3V 2312 | การสอบสวน |
|
NOSC686M006S0200 | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 68UF 20% 6.3V 2312 | การสอบสวน |
|
NOSC686M002R0200 | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 68UF 20% 2.5V 2312 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog