ซื้อ NOJB226M010RWB กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
NOJB226M010RWB
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- NOJB226M010RWB
- ผู้ผลิต:
- AVX Corporation
- ลักษณะ:
- CAP NIOB OXIDE 22UF 20% 10V 1210
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 19351 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- NOJB226M010RWB.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ NOJB226M010RWB เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา NOJB226M010RWB ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 10V |
|---|---|
| ความอดทน: | ±20% |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 1210 (3528 Metric) |
| ขนาด / มิติ: | 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) |
| ชุด: | OxiCap® NOJ |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 1411 (3528 Metric) |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 105°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 19 Weeks |
| ผู้ผลิตรหัสขนาด: | B |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | NOJB226M010RWB |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.083" (2.10mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | 22µF Niobium Oxide Capacitor 10V 1411 (3528 Metric) 700 mOhm ESR |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | 700 mOhm |
| ตัวประกอบการสูญเสีย: | 6% |
| ลักษณะ: | CAP NIOB OXIDE 22UF 20% 10V 1210 |
| ปัจจุบัน - การรั่วไหล: | 4.4µA |
| ปริมาตร: | 22µF |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NOJB226M010RWB
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
NOJB226M010RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 22UF 20% 10V 1210 | การสอบสวน |
 |
NOJD107M010RWB | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 100UF 20% 10V 2917 | การสอบสวน |
|
NOJB226M006RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 22UF 20% 6.3V 1210 | การสอบสวน |
|
NOJB226M004RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 22UF 20% 4V 1210 | การสอบสวน |
 |
NOJA106M010RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 10UF 20% 10V 1206 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers