ซื้อ NIF9N05CLT3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
NIF9N05CLT3
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- NIF9N05CLT3
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 13311 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- NIF9N05CLT3.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ NIF9N05CLT3 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา NIF9N05CLT3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2.5V @ 100µA |
|---|---|
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SOT-223 |
| ชุด: | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 125 mOhm @ 2.6A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 1.69W (Ta) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-261-4, TO-261AA |
| ชื่ออื่น: | NIF9N05CLT3OS |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | NIF9N05CLT3 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 250pF @ 35V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 7nC @ 4.5V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 52V 2.6A (Ta) 1.69W (Ta) Surface Mount SOT-223 |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 52V |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 2.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NIF9N05CLT3
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
NIF9N05CLT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 | การสอบสวน |
 |
IRFP3710PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 57A TO-247AC | การสอบสวน |
 |
PMN27UP,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP | การสอบสวน |
|
NIF9N05CLT1 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 | การสอบสวน |
 |
1HP04CH-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 0.17A SOT-23 | การสอบสวน |
|
AUIRFP064N | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 98A TO-247AC | การสอบสวน |
 |
PH5525L,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK | การสอบสวน |
 |
NX138BKWX | Nexperia USA Inc. | NX138BKW/SC-70/REEL 7" Q1/T1 * | การสอบสวน |
 |
IXTQ130N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 130A TO-3P | การสอบสวน |
 |
IRL520NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK | การสอบสวน |
 |
STD18N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 15A DPAK | การสอบสวน |
|
NIF9N05CLT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 | การสอบสวน |
 |
SUP40N10-30-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 38.5A TO220AB | การสอบสวน |
 |
SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog