NE5550979A-T1-A - CEL - ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF NE5550979A-T1-A

NE5550979A-T1-A

รุ่นผลิตภัณฑ์:: NE5550979A-T1-A

ผู้ผลิต:: CEL (California Eastern Laboratories)

ลักษณะ:: FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 17590 Pieces

แผ่นข้อมูล:: NE5550979A-T1-A.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ NE5550979A-T1-A เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา NE5550979A-T1-A ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ NE5550979A-T1-A กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:	7.5V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:	30V
ประเภททรานซิสเตอร์:	LDMOS
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	79A
ชุด:	-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:	38.6dBm
บรรจุภัณฑ์:	Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	79A
เสียงรบกวนเต็มตัว:	-
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	NE5550979A-T1-A
ได้รับ:	22dB
ความถี่:	900MHz
ขยายคำอธิบาย:	RF Mosfet LDMOS 7.5V 200mA 900MHz 22dB 38.6dBm 79A
ลักษณะ:	FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG
พิกัดกระแส:	3A
ปัจจุบัน - การทดสอบ:	200mA
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NE5550979A-T1-A

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
NE5550779A-A	CEL	FET RF 30V 900MHZ 79A	การสอบสวน
NE5550234-AZ	CEL	FET RF 30V 900MHZ 3MINIMOLD	การสอบสวน
NE5550234-T1-AZ	CEL	FET RF 30V 900MHZ 3MINIMOLD	การสอบสวน
MRF5S19130HR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ NI-880	การสอบสวน
NE5550979A-A	CEL	FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG	การสอบสวน
NE5550279A-A	CEL	FET RF 30V 900MHZ 79A	การสอบสวน
MRF6S9125MR1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 880MHZ TO-270-4	การสอบสวน
NE5550779A-T1-A	CEL	FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG	การสอบสวน
NE5550279A-T1-A	CEL	FET RF 30V 900MHZ 79A	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest