ซื้อ NDD60N360U1-35G กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
NDD60N360U1-35G
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- NDD60N360U1-35G
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 600V 114A IPAK
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 15398 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- NDD60N360U1-35G.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ NDD60N360U1-35G เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา NDD60N360U1-35G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | I-Pak |
| ชุด: | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 360 mOhm @ 5.5A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 114W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 6 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | NDD60N360U1-35G |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 790pF @ 50V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 26nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 600V 11A (Tc) 114W (Tc) Through Hole I-Pak |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 600V |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 600V 114A IPAK |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NDD60N360U1-35G
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
NDD60N360U1-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 114A IPAK | การสอบสวน |
 |
NDD60N360U1T4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 114A DPAK | การสอบสวน |
|
NDD60N550U1-35G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-3 | การสอบสวน |
|
NDD60N900U1-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4 | การสอบสวน |
 |
FQA33N10L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 36A TO-3P | การสอบสวน |
|
NDD60N745U1T4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 6.8A DPAK-3 | การสอบสวน |
|
NDD60N550U1-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-4 | การสอบสวน |
|
NDD60N745U1-35G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-3 | การสอบสวน |
|
NDD60N550U1T4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK-3 | การสอบสวน |
|
NDD60N900U1T4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 5.9A DPAK-3 | การสอบสวน |
|
NDD60N900U1-35G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-3 | การสอบสวน |
|
NDD60N745U1-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-4 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog