NDB5060L
NDB5060L
รุ่นผลิตภัณฑ์:
NDB5060L
ผู้ผลิต:
Fairchild/ON Semiconductor
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
14359 Pieces
แผ่นข้อมูล:
NDB5060L.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ NDB5060L เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา NDB5060L ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NDB5060L กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±16V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:D²PAK (TO-263AB)
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:35 mOhm @ 13A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):68W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Original-Reel®
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ชื่ออื่น:NDB5060LDKR
อุณหภูมิในการทำงาน:-65°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:9 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:NDB5060L
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:840pF @ 30V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:24nC @ 5V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 60V 26A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):60V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:26A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ