ซื้อ MURTA40060 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
MURTA40060
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MURTA40060
- ผู้ผลิต:
- GeneSiC Semiconductor
- ลักษณะ:
- DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 14413 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- MURTA40060.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ MURTA40060 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา MURTA40060 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 1.7V @ 200A |
|---|---|
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด): | 600V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | Three Tower |
| ความเร็ว: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Three Tower |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction: | -55°C ~ 150°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 4 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | MURTA40060 |
| ขยายคำอธิบาย: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 200A Chassis Mount Three Tower |
| ประเภทไดโอด: | Standard |
| การกำหนดค่าไดโอด: | 1 Pair Common Cathode |
| ลักษณะ: | DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 25µA @ 600V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode): | 200A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MURTA40060
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
MURTA400120 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER | การสอบสวน |
|
MURTA40040R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 200A 3 TOWER | การสอบสวน |
|
MURTA40020R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER | การสอบสวน |
|
MURTA40060R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER | การสอบสวน |
|
MURTA40040 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 200A 3 TOWER | การสอบสวน |
|
MURTA40020 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER | การสอบสวน |
|
MURTA400120R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog