MUBW45-12T6K - IXYS - ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล MUBW45-12T6K

MUBW45-12T6K

รุ่นผลิตภัณฑ์:: MUBW45-12T6K

ผู้ผลิต:: IXYS Corporation

ลักษณะ:: MODULE IGBT CBI E1

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 19810 Pieces

แผ่นข้อมูล:: MUBW45-12T6K.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ MUBW45-12T6K เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา MUBW45-12T6K ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ MUBW45-12T6K กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):	1200V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:	3.1V @ 15V, 45A
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	E1
ชุด:	-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:	160W
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	E1
อุณหภูมิในการทำงาน:	-40°C ~ 125°C (TJ)
กทช Thermistor:	Yes
ประเภทการติดตั้ง:	Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	MUBW45-12T6K
การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE:	1.81nF @ 25V
อินพุต:	Three Phase Bridge Rectifier
ประเภท IGBT:	Trench
ขยายคำอธิบาย:	IGBT Module Trench Three Phase Inverter with Brake 1200V 43A 160W Chassis Mount E1
ลักษณะ:	MODULE IGBT CBI E1
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):	1.25mA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):	43A
องค์ประกอบ:	Three Phase Inverter with Brake
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MUBW45-12T6K

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
MUBW40-12T7	IXYS	MODULE IGBT CBI E2	การสอบสวน
APTGT30H170T3G	Microsemi Corporation	IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3	การสอบสวน
APTGT75DDA60T3G	Microsemi Corporation	IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3	การสอบสวน
APTGT300A60D3G	Microsemi Corporation	IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3	การสอบสวน
VS-GT100NA120UX	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 134A 463W SOT-227	การสอบสวน
MG06200S-BN4MM	Littelfuse Inc.	IGBT 600V 300A 600W PKG S	การสอบสวน
APTGF100SK120TG	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 135A 568W SP4	การสอบสวน
MIXA10WB1200TMH	IXYS	IGBT MODULE 1200V 12A HEX	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest