MT3S20P(TE12L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage - ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF MT3S20P(TE12L,F)

MT3S20P(TE12L,F)

รุ่นผลิตภัณฑ์:: MT3S20P(TE12L,F)

ผู้ผลิต:: Toshiba Semiconductor

ลักษณะ:: TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 17600 Pieces

แผ่นข้อมูล:: MT3S20P(TE12L,F).pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ MT3S20P(TE12L,F) เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา MT3S20P(TE12L,F) ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ MT3S20P(TE12L,F) กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):	12V
ประเภททรานซิสเตอร์:	NPN
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	PW-MINI
ชุด:	-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:	1.8W
บรรจุภัณฑ์:	Original-Reel®
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	TO-243AA
ชื่ออื่น:	MT3S20P(TE12LF)DKR
อุณหภูมิในการทำงาน:	150°C (TJ)
เสียงรบกวนรูป (เดซิเบล Typ @ F):	1.45dB @ 1GHz
ประเภทการติดตั้ง:	Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	MT3S20P(TE12L,F)
ได้รับ:	16.5dB
ความถี่ - การเปลี่ยน:	7GHz
ขยายคำอธิบาย:	RF Transistor NPN 12V 80mA 7GHz 1.8W Surface Mount PW-MINI
ลักษณะ:	TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE:	100 @ 50mA, 5V
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):	80mA
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MT3S20P(TE12L,F)

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
TAN75A	Microsemi Corporation	TRANS RF BIPO 290W 9A 55AZ1	การสอบสวน
2SC5455-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-143	การสอบสวน
MRF586G	Microsemi Corporation	TRANS BIPO NPN TO-39	การสอบสวน
MCH4009-TL-H	ON Semiconductor	TRANS NPN 3.5V 40MA MCPH4	การสอบสวน
AT-32011-BLKG	Broadcom Limited	TRANS NPN BIPO 5.5V 32MA SOT-143	การสอบสวน
MT3S20TU(TE85L)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM	การสอบสวน
AT-41486-BLKG	Broadcom Limited	TRANS SIL LOW NOISE BIPOL 45MD	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest