ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF > MMRF1314GSR5
MMRF1314GSR5
MMRF1314GSR5
รุ่นผลิตภัณฑ์:
MMRF1314GSR5
ผู้ผลิต:
NXP Semiconductors / Freescale
ลักษณะ:
TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
18450 Pieces
แผ่นข้อมูล:
MMRF1314GSR5.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ MMRF1314GSR5 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา MMRF1314GSR5 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MMRF1314GSR5 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:50V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:105V
ประเภททรานซิสเตอร์:LDMOS (Dual)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:NI-1230-4S Gull Wing
ชุด:-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:1000W
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:NI-1230-4S GW
ชื่ออื่น:935316224178
MMRF1314GSR5-ND
เสียงรบกวนเต็มตัว:-
ระดับความไวของความชื้น (MSL):3 (168 Hours)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:10 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:MMRF1314GSR5
ได้รับ:17.7dB
ความถี่:1.4GHz
ขยายคำอธิบาย:RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 1.4GHz 17.7dB 1000W NI-1230-4S Gull Wing
ลักษณะ:TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V
พิกัดกระแส:-
ปัจจุบัน - การทดสอบ:100mA
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MMRF1314GSR5

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
MMRF1317HR5 Image MMRF1317HR5 NXP USA Inc. TRANS 1030-1090MHZ 1300W 50V การสอบสวน
MMRF1311HR5 Image MMRF1311HR5 NXP USA Inc. TRANS 470-860MHZ 600W 50V การสอบสวน
MMRF1314HSR5 Image MMRF1314HSR5 NXP USA Inc. TRANS RF FET 1.4GHZ 1000W 52V การสอบสวน
MMRF1320GNR1 NXP USA Inc. TRANS 1.8--600MHZ 150W CW 50V การสอบสวน
MMRF1317HSR5 Image MMRF1317HSR5 NXP USA Inc. TRANS 1030-1090MHZ 1300W 50V การสอบสวน
MMRF1312HR5 Image MMRF1312HR5 NXP USA Inc. TRANS 900-1215MHZ 1000W 52V การสอบสวน
MMRF1318NR1 Image MMRF1318NR1 NXP USA Inc. FET RF 110V 450MHZ การสอบสวน
MMRF1310HR5 Image MMRF1310HR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 133V 230MHZ NI780 การสอบสวน
MMRF1316NR1 Image MMRF1316NR1 NXP USA Inc. FET RF 2CH 133V 230MHZ TO270 การสอบสวน
MMRF1315NR1 Image MMRF1315NR1 NXP USA Inc. FET RF 66V 880MHZ TO270 การสอบสวน
MMRF1310HSR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 133V 230MHZ การสอบสวน
MMRF1305HSR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780S-4 การสอบสวน
MMRF1314HR5 Image MMRF1314HR5 NXP USA Inc. TRANS 1200-1400MHZ 1000W 52V การสอบสวน
MMRF1312GSR5 Image MMRF1312GSR5 NXP USA Inc. TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V การสอบสวน
MMRF1320NR1 NXP USA Inc. TRANS 1.8--600MHZ 150W CW 50V การสอบสวน
MMRF1312HSR5 Image MMRF1312HSR5 NXP USA Inc. TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V การสอบสวน

ข่าว Latest