ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - Bipolar (BJT) - เดี่ยว > MJD112RL
MJD112RL
MJD112RL
รุ่นผลิตภัณฑ์:
MJD112RL
ผู้ผลิต:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
ลักษณะ:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
18598 Pieces
แผ่นข้อมูล:
MJD112RL.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ MJD112RL เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา MJD112RL ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MJD112RL กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):100V
VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic:3V @ 40mA, 4A
ประเภททรานซิสเตอร์:NPN - Darlington
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:DPAK-3
ชุด:-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:1.75W
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
อุณหภูมิในการทำงาน:-65°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:MJD112RL
ความถี่ - การเปลี่ยน:25MHz
ขยายคำอธิบาย:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Surface Mount DPAK-3
ลักษณะ:TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE:1000 @ 2A, 3V
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):20µA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):2A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MJD112RL

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
MJD117-1G Image MJD117-1G ON Semiconductor TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK การสอบสวน
MJD117RLG Image MJD117RLG ON Semiconductor TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK การสอบสวน
MMBT5551 Fairchild/ON Semiconductor TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23 การสอบสวน
MJD112RLG Image MJD112RLG ON Semiconductor TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK การสอบสวน
MJD112-001 Image MJD112-001 ON Semiconductor TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK การสอบสวน
MJD112-1G Image MJD112-1G ON Semiconductor TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK การสอบสวน
MJD117 Image MJD117 ON Semiconductor TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK การสอบสวน
MJD112T4 Image MJD112T4 ON Semiconductor TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK การสอบสวน
MJD117T4 Image MJD117T4 ON Semiconductor TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK การสอบสวน
MJD117-001 Image MJD117-001 ON Semiconductor TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK การสอบสวน
MJD117T4G Image MJD117T4G ON Semiconductor TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK การสอบสวน
MJD112T4G Image MJD112T4G ON Semiconductor TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK การสอบสวน
MJD112G Image MJD112G ON Semiconductor TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK การสอบสวน
MJD117G Image MJD117G ON Semiconductor TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK การสอบสวน

ข่าว Latest