MII75-12A3 - IXYS - ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล MII75-12A3

MII75-12A3

รุ่นผลิตภัณฑ์:: MII75-12A3

ผู้ผลิต:: IXYS Corporation

ลักษณะ:: MOD IGBT RBSOA 1200V 90A Y4-M5

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 15459 Pieces

แผ่นข้อมูล:: MII75-12A3.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ MII75-12A3 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา MII75-12A3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ MII75-12A3 กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):	1200V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:	2.7V @ 15V, 50A
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	Y4-M5
ชุด:	-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:	370W
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	Y4-M5
อุณหภูมิในการทำงาน:	-40°C ~ 150°C (TJ)
กทช Thermistor:	No
ประเภทการติดตั้ง:	Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:	8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	MII75-12A3
การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE:	3.3nF @ 25V
อินพุต:	Standard
ประเภท IGBT:	NPT
ขยายคำอธิบาย:	IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 90A 370W Chassis Mount Y4-M5
ลักษณะ:	MOD IGBT RBSOA 1200V 90A Y4-M5
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):	4mA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):	90A
องค์ประกอบ:	Half Bridge
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MII75-12A3

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
APTGF30H60T1G	Microsemi Corporation	IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1	การสอบสวน
CM400DY-24NF	Powerex Inc.	IGBT MOD DUAL 1200V 400A NF SER	การสอบสวน
FA300R12ME4BOSA1	Infineon Technologies	MODULE IGBT ECONO DUAL 3	การสอบสวน
QIS4506002	Powerex Inc.	IGBT MOD SINGLE 4500V 60A	การสอบสวน
VS-GB100TH120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest