MID550-12A4 - IXYS - ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล MID550-12A4

MID550-12A4

รุ่นผลิตภัณฑ์:: MID550-12A4

ผู้ผลิต:: IXYS Corporation

ลักษณะ:: MOD IGBT RBSOA 1200V 670A Y3-DCB

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 17497 Pieces

แผ่นข้อมูล:: MID550-12A4.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ MID550-12A4 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา MID550-12A4 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ MID550-12A4 กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):	1200V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:	2.8V @ 15V, 400A
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	Y3-DCB
ชุด:	-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:	2750W
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	Y3-DCB
อุณหภูมิในการทำงาน:	150°C (TJ)
กทช Thermistor:	No
ประเภทการติดตั้ง:	Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:	8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	MID550-12A4
การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE:	26nF @ 25V
อินพุต:	Standard
ประเภท IGBT:	NPT
ขยายคำอธิบาย:	IGBT Module NPT Single 1200V 670A 2750W Chassis Mount Y3-DCB
ลักษณะ:	MOD IGBT RBSOA 1200V 670A Y3-DCB
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):	21mA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):	670A
องค์ประกอบ:	Single
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MID550-12A4

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
MIAA20WE600TMH	IXYS	MODULE IGBT CBI	การสอบสวน
CM300E3U-12H	Powerex Inc.	IGBT MOD CHOP 600V 300A U SER	การสอบสวน
FMG2G300US60	Fairchild/ON Semiconductor	IGBT MOLDING 600V 300A 7PM-IA	การสอบสวน
APTGT50H60RT3G	Microsemi Corporation	POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3	การสอบสวน
APTGF90SK60TG	Microsemi Corporation	IGBT 600V 110A 416W SP4	การสอบสวน
CM600DU-12NFH	Powerex Inc.	IGBT MOD HI-FREQ DUAL 600A 600V	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest