MDI150-12A4 - IXYS - ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล MDI150-12A4

MDI150-12A4

รุ่นผลิตภัณฑ์:: MDI150-12A4

ผู้ผลิต:: IXYS Corporation

ลักษณะ:: MOD IGBT BUCK 1200V 180A Y3-DCB

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 12492 Pieces

แผ่นข้อมูล:: MDI150-12A4.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ MDI150-12A4 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา MDI150-12A4 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ MDI150-12A4 กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):	1200V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:	2.7V @ 15V, 100A
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	Y3-DCB
ชุด:	-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:	760W
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	Y3-DCB
อุณหภูมิในการทำงาน:	150°C (TJ)
กทช Thermistor:	No
ประเภทการติดตั้ง:	Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:	8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	MDI150-12A4
การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE:	6.6nF @ 25V
อินพุต:	Standard
ประเภท IGBT:	NPT
ขยายคำอธิบาย:	IGBT Module NPT Single 1200V 180A 760W Chassis Mount Y3-DCB
ลักษณะ:	MOD IGBT BUCK 1200V 180A Y3-DCB
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):	7.5mA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):	180A
องค์ประกอบ:	Single
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MDI150-12A4

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
MG1240H-XBN2MM	Littelfuse Inc.	IGBT MOD 1200V 40A PKG H CRCT:XB	การสอบสวน
APTGT400SK120G	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 560A 1785W SP6	การสอบสวน
MIXA10W1200TMH	IXYS	IGBT MODULE 1200V 12A HEX	การสอบสวน
FMG1G75US60L	Fairchild/ON Semiconductor	IGBT MOLDING 600V 75A 7PM-GA	การสอบสวน
MWI100-12T8T	IXYS	MOD IGBT TRENCH SIXPACK E3	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest