ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ไดโอด - RF > JDP4P02AT(TE85L)
JDP4P02AT(TE85L)
JDP4P02AT(TE85L)
รุ่นผลิตภัณฑ์:
JDP4P02AT(TE85L)
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor
ลักษณะ:
SWITCHING DIODE 30V INDEPENDENT
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
19220 Pieces
แผ่นข้อมูล:
JDP4P02AT(TE85L).pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ JDP4P02AT(TE85L) เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา JDP4P02AT(TE85L) ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ JDP4P02AT(TE85L) กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด):30V
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TESQ
ชุด:-
ต้านทาน @ ถ้า F:1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):-
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:4-SMD, Flat Leads
ชื่ออื่น:JDP4P02AT(TE85L)TR
อุณหภูมิในการทำงาน:150°C (TJ)
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:JDP4P02AT(TE85L)
ขยายคำอธิบาย:RF Diode PIN - 2 Independent 30V 50mA TESQ
ประเภทไดโอด:PIN - 2 Independent
ลักษณะ:SWITCHING DIODE 30V INDEPENDENT
ปัจจุบัน - แม็กซ์:50mA
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F:0.4pF @ 1V, 1MHz
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ JDP4P02AT(TE85L)

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
BA679-GS18 Image BA679-GS18 Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE PIN 30V SOD80 MINIMELF การสอบสวน
MMDL301T1 Image MMDL301T1 ON Semiconductor DIODE SCHOTTKY 200MW 30V SOD-323 การสอบสวน
UPP1004/TR7 Image UPP1004/TR7 Microsemi Corporation DIODE PIN 100V 2.5W POWERMITE การสอบสวน
MSWSE-010-15S M/A-Com Technology Solutions COM RF SWITCH, 0402P การสอบสวน

ข่าว Latest