ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ไดโอด - Rectifiers - โทนเดียว > JANTXV1N5417
JANTXV1N5417
JANTXV1N5417
รุ่นผลิตภัณฑ์:
JANTXV1N5417
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
12416 Pieces
แผ่นข้อมูล:
JANTXV1N5417.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ JANTXV1N5417 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา JANTXV1N5417 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ JANTXV1N5417 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก:1.5V @ 9A
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด):200V
ความเร็ว:Fast Recovery = 200mA (Io)
ชุด:Military, MIL-PRF-19500/411
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR):150ns
บรรจุภัณฑ์:Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:B, Axial
ชื่ออื่น:1086-2810
1086-2810-MIL
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction:-65°C ~ 175°C
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:JANTXV1N5417
ขยายคำอธิบาย:Diode Standard 200V 3A Through Hole
ประเภทไดโอด:Standard
ลักษณะ:DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:1µA @ 200V
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ):3A
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F:-
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ JANTXV1N5417

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
JANTXV1N5416US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 100V 3A D5B การสอบสวน
JANTXV1N5418US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 400V 3A D5B การสอบสวน
JANTXV1N5417US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 200V 3A D5B การสอบสวน
JANTXV1N5418 Image JANTXV1N5418 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL การสอบสวน
JANTXV1N5415US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 50V 3A D5B การสอบสวน
JANTXV1N5420 Image JANTXV1N5420 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL การสอบสวน
JANTXV1N5419US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF การสอบสวน
JANTXV1N5416 Image JANTXV1N5416 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL การสอบสวน
JANTXV1N5419 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL การสอบสวน
JANTXV1N5415 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL การสอบสวน
JANTXV1N5420US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 600V 3A D5B การสอบสวน

ข่าว Latest