ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ไดโอด - Rectifiers - โทนเดียว > JANS1N5806US
JANS1N5806US
JANS1N5806US
รุ่นผลิตภัณฑ์:
JANS1N5806US
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
DIODE GEN PURP 150V 1A D5A
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
16487 Pieces
แผ่นข้อมูล:
JANS1N5806US.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ JANS1N5806US เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา JANS1N5806US ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ JANS1N5806US กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก:875mV @ 1A
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด):150V
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:D-5A
ความเร็ว:Fast Recovery = 200mA (Io)
ชุด:Military, MIL-PRF-19500/477
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR):25ns
บรรจุภัณฑ์:Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SQ-MELF, A
ชื่ออื่น:1086-15144
1086-15144-MIL
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction:-65°C ~ 175°C
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:JANS1N5806US
ขยายคำอธิบาย:Diode Standard 150V 1A Surface Mount D-5A
ประเภทไดโอด:Standard
ลักษณะ:DIODE GEN PURP 150V 1A D5A
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:1µA @ 150V
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ):1A
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F:25pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ JANS1N5806US

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
JANS1N5617US Image JANS1N5617US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 400V 1A D5A การสอบสวน
JANS1N5418 Image JANS1N5418 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL การสอบสวน
JANS1N5806 Image JANS1N5806 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL การสอบสวน
JANS1N5809 Image JANS1N5809 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL การสอบสวน
JANS1N5298-1 Image JANS1N5298-1 Microsemi Corporation DIODE CURRENT REG DO-7 การสอบสวน
JANS1N5968US Microsemi Corporation DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL การสอบสวน
JANS1N5615 Image JANS1N5615 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL การสอบสวน
JANS1N5819-1 Image JANS1N5819-1 Microsemi Corporation DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41 การสอบสวน
JANS1N5969CUS Microsemi Corporation DIODE ZENER 6.2V 5W AXIAL การสอบสวน
JANS1N5968 Microsemi Corporation DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL การสอบสวน
JANS1N5552 Image JANS1N5552 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL การสอบสวน
JANS1N5816 Microsemi Corporation DIODE SCHOTTKY 150V 20A DO203AA การสอบสวน
JANS1N5969US Microsemi Corporation DIODE ZENER 6.2V 5W AXIAL การสอบสวน

ข่าว Latest