ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล > IXYN82N120C3H1
IXYN82N120C3H1
IXYN82N120C3H1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXYN82N120C3H1
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
IGBT MODULE 1200V 105A SOT227B
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
19993 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXYN82N120C3H1.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXYN82N120C3H1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXYN82N120C3H1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXYN82N120C3H1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):1200V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:3.2V @ 15V, 82A
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SOT-227B
ชุด:XPT™, GenX3™
เพาเวอร์ - แม็กซ์:500W
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-227-4, miniBLOC
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
กทช Thermistor:No
ประเภทการติดตั้ง:Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXYN82N120C3H1
การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE:4060pF @ 25V
อินพุต:Standard
ประเภท IGBT:-
ขยายคำอธิบาย:IGBT Module Single 1200V 105A 500W Chassis Mount SOT-227B
ลักษณะ:IGBT MODULE 1200V 105A SOT227B
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):50µA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):105A
องค์ประกอบ:Single
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXYN82N120C3H1

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
FMS6G10US60 Fairchild/ON Semiconductor IGBT 600V 10A 25PM-AA การสอบสวน
IXYN82N120C3 Image IXYN82N120C3 IXYS IGBT XPT 1200V 105A SOT-227B การสอบสวน
APTGF350A60G Image APTGF350A60G Microsemi Corporation POWER MODULE IGBT 600V 350A SP6 การสอบสวน
APTGT35X120T3G Microsemi Corporation IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3 การสอบสวน
APTGT75DA120D1G Microsemi Corporation IGBT 1200V 110A 357W D1 การสอบสวน
IRG5K50HF06A Infineon Technologies MOD IGBT 600V 50A POWIR 34 การสอบสวน
APT100GT120JRDQ4 Image APT100GT120JRDQ4 Microsemi Corporation IGBT 1200V 123A 570W SOT227 การสอบสวน
IXBN75N170A IXYS IC TRANS BIPO 1700V SOT-227 การสอบสวน
APTGT50H120T3G Image APTGT50H120T3G Microsemi Corporation IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 การสอบสวน
VII50-06P1 IXYS MOD IGBT PHASE LEG 600V ECOPAC2 การสอบสวน
CPV362M4F Image CPV362M4F Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2 การสอบสวน
IXYN80N90C3H1 Image IXYN80N90C3H1 IXYS IGBT 900V 115A 500W C3 SOT-227 การสอบสวน

ข่าว Latest