ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > IXXX200N60C3
IXXX200N60C3
IXXX200N60C3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXXX200N60C3
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
IGBT 600V 200A PLUS247
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
14855 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXXX200N60C3.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXXX200N60C3 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXXX200N60C3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXXX200N60C3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):600V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:2.1V @ 15V, 100A
ทดสอบสภาพ:360V, 100A, 1 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:47ns/125ns
การสลับพลังงาน:3mJ (on), 1.7mJ (off)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PLUS247™-3
ชุด:XPT™, GenX3™
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:10 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXXX200N60C3
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:PT
ค่าใช้จ่ายประตู:315nC
ขยายคำอธิบาย:IGBT PT 600V 340A Through Hole PLUS247™-3
ลักษณะ:IGBT 600V 200A PLUS247
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):900A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):340A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXXX200N60C3

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
IXXX200N65B4 Image IXXX200N65B4 IXYS IGBT 650V 370A 1150W PLUS247 การสอบสวน
STGWT20IH125DF Image STGWT20IH125DF STMicroelectronics IGBT 1250V 40A 259W TO-3P การสอบสวน
IRG4PC40WPBF Image IRG4PC40WPBF Infineon Technologies IGBT 600V 40A 160W TO247AC การสอบสวน
IRG4RC10SDTRLP Infineon Technologies IGBT 600V 14A 38W DPAK การสอบสวน
IKP08N65H5XKSA1 Image IKP08N65H5XKSA1 Infineon Technologies IGBT 650V 18A 70W PG-TO220-3 การสอบสวน
IXSH25N120AU1 Image IXSH25N120AU1 IXYS IGBT 1200V 50A 200W TO247 การสอบสวน
IRG4BC30KDSTRLP Image IRG4BC30KDSTRLP Infineon Technologies IGBT 600V 28A 100W D2PAK การสอบสวน
IRG4IBC20FDPBF Image IRG4IBC20FDPBF Infineon Technologies IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP การสอบสวน
IXRP15N120 Image IXRP15N120 IXYS IGBT 1200V 25A 300W TO220 การสอบสวน
SKB10N60AATMA1 Image SKB10N60AATMA1 Infineon Technologies IGBT 600V 20A 92W TO263-3 การสอบสวน
IGW40N65H5AXKSA1 Image IGW40N65H5AXKSA1 Infineon Technologies IGBT 650V TO247-3 การสอบสวน
STGD3NB60SD-1 STMicroelectronics IGBT 600V 6A 48W DPAK การสอบสวน
IGW40N60H3FKSA1 Image IGW40N60H3FKSA1 Infineon Technologies IGBT 600V 80A 306W TO247-3 การสอบสวน
NGTB30N120LWG Image NGTB30N120LWG ON Semiconductor IGBT 1200V 30A TO247 การสอบสวน

ข่าว Latest