ซื้อ IXTT90P10P กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (สูงสุด): | ±20V |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-268 |
ชุด: | PolarP™ |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 25 mOhm @ 45A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 462W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tube |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 8 Weeks |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IXTT90P10P |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 5800pF @ 25V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 120nC @ 10V |
ประเภท FET: | P-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | P-Channel 100V 90A (Tc) 462W (Tc) Surface Mount TO-268 |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 100V |
ลักษณะ: | MOSFET P-CH 100V 90A TO-268 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 90A (Tc) |
Email: | [email protected] |