ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > IXTT16P60P
IXTT16P60P
IXTT16P60P
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXTT16P60P
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
MOSFET P-CH 600V 16A TO-268
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
13546 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXTT16P60P.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXTT16P60P เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXTT16P60P ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXTT16P60P กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-268
ชุด:PolarP™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:720 mOhm @ 500mA, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):460W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXTT16P60P
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:5120pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:92nC @ 10V
ประเภท FET:P-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:P-Channel 600V 16A (Tc) 460W (Tc) Surface Mount TO-268
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):600V
ลักษณะ:MOSFET P-CH 600V 16A TO-268
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:16A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXTT16P60P

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
IXTT140P10T Image IXTT140P10T IXYS MOSFET P-CH 100V 140A TO-268 การสอบสวน
IXTT12N150HV Image IXTT12N150HV IXYS MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268 การสอบสวน
IXTT16N10D2 Image IXTT16N10D2 IXYS MOSFET N-CH 100V 16A TO-268 การสอบสวน
IXTT16N20D2 Image IXTT16N20D2 IXYS MOSFET N-CH 200V 16A TO-268 การสอบสวน
IXTT16P20 Image IXTT16P20 IXYS MOSFET P-CH 200V 16A TO-268 การสอบสวน
IXTT110N10P Image IXTT110N10P IXYS MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 การสอบสวน
IXTT170N10P Image IXTT170N10P IXYS MOSFET N-CH 100V 170A TO-268 การสอบสวน
IXTT10N100D2 Image IXTT10N100D2 IXYS MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267 การสอบสวน
IXTT1N100 Image IXTT1N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268 การสอบสวน
IXTT16N50D2 Image IXTT16N50D2 IXYS MOSFET N-CH 500V 16A TO-268 การสอบสวน
IXTT10P50 Image IXTT10P50 IXYS MOSFET P-CH 500V 10A TO-268 การสอบสวน
IXTT12N140 Image IXTT12N140 IXYS MOSFET N-CH 1400V 12A TO268 การสอบสวน
IXTT1N450HV Image IXTT1N450HV IXYS MOSFET N-CH 4500V 1A TO268 การสอบสวน
IXTT1N300P3HV Image IXTT1N300P3HV IXYS 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF การสอบสวน
IXTT1N250HV Image IXTT1N250HV IXYS MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV การสอบสวน
IXTT100N25P Image IXTT100N25P IXYS MOSFET N-CH 250V 100A TO-268 การสอบสวน

ข่าว Latest