ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > IXTP8N65X2M
IXTP8N65X2M
IXTP8N65X2M
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXTP8N65X2M
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
15551 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXTP8N65X2M.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXTP8N65X2M เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXTP8N65X2M ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXTP8N65X2M กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±30V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-220
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:550 mOhm @ 4A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):32W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-220-3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXTP8N65X2M
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:800pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:12nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 650V 4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-220
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):650V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:4A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXTP8N65X2M

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
IXTP88N085T Image IXTP88N085T IXYS MOSFET N-CH 85V 88A TO-220 การสอบสวน
TK16J60W,S1VQ Image TK16J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N) การสอบสวน
IXTP8N70X2 IXYS MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO220-3 การสอบสวน
FQB12P20TM Image FQB12P20TM Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK การสอบสวน
RCX450N20 Image RCX450N20 Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 200V 45A TO220 การสอบสวน
IXFH40N85X Image IXFH40N85X IXYS MOSFET NCH 850V 40A TO247 การสอบสวน
IXTP8N65X2 Image IXTP8N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-220 การสอบสวน
IXTP8N70X2M IXYS MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO220-3 การสอบสวน
IRFR2905ZTRRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 42A DPAK การสอบสวน
IXTQ36N30P Image IXTQ36N30P IXYS MOSFET N-CH 300V 36A TO-3P การสอบสวน
IRL2505SPBF Image IRL2505SPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK การสอบสวน
IXTP8N50P Image IXTP8N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 การสอบสวน
IXTP86N20T Image IXTP86N20T IXYS MOSFET N-CH 200V 86A TO-220 การสอบสวน
IXTP80N10T Image IXTP80N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 การสอบสวน
IXTP80N075L2 Image IXTP80N075L2 IXYS MOSFET N-CH 75V 80A TO-220 การสอบสวน
IXTP8N50PM Image IXTP8N50PM IXYS MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 การสอบสวน
NTMFS4923NET3G Image NTMFS4923NET3G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 91A SO-8FL การสอบสวน

ข่าว Latest