IXTP1N80P
IXTP1N80P
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXTP1N80P
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 800V 1A TO-220
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
14435 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXTP1N80P.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXTP1N80P เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXTP1N80P ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXTP1N80P กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 50µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-220AB
ชุด:Polar™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:14 Ohm @ 500mA, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):42W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-220-3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXTP1N80P
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:250pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:9nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 800V 1A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220AB
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):800V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 800V 1A TO-220
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:1A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ