ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > IXTH1N100
IXTH1N100
IXTH1N100
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXTH1N100
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
16228 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXTH1N100.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXTH1N100 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXTH1N100 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXTH1N100 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4.5V @ 25µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-247 (IXTH)
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:11 Ohm @ 1A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):60W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXTH1N100
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:480pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:23nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 1000V (1kV) 1.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):1000V (1kV)
ลักษณะ:MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:1.5A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXTH1N100

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
IXTH12N90 Image IXTH12N90 IXYS MOSFET N-CH 900V 12A TO-247 การสอบสวน
IXTH10N100D2 Image IXTH10N100D2 IXYS MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247 การสอบสวน
IXTH12N100Q Image IXTH12N100Q IXYS MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 การสอบสวน
IXTH10P50 Image IXTH10P50 IXYS MOSFET P-CH 500V 10A TO-247AD การสอบสวน
IXTH160N10T Image IXTH160N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 160A TO-247 การสอบสวน
IXTH16N50D2 Image IXTH16N50D2 IXYS MOSFET N-CH 500V 16A TO-247 การสอบสวน
IXTH16N20D2 Image IXTH16N20D2 IXYS MOSFET N-CH 200V 16A TO-247 การสอบสวน
IXTH150N17T Image IXTH150N17T IXYS MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 การสอบสวน
IXTH14N100 Image IXTH14N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 การสอบสวน
IXTH1N450HV Image IXTH1N450HV IXYS 2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR การสอบสวน
IXTH12N100 Image IXTH12N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 การสอบสวน
IXTH110N10L2 Image IXTH110N10L2 IXYS MOSFET N-CH 100V 110A TO-247 การสอบสวน
IXTH12N120 Image IXTH12N120 IXYS MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 การสอบสวน
IXTH102N25T Image IXTH102N25T IXYS MOSFET N-CH 250V 102A TO-247 การสอบสวน
IXTH10P50P Image IXTH10P50P IXYS MOSFET P-CH 500V 10A TO-247 การสอบสวน
IXTH140P10T Image IXTH140P10T IXYS MOSFET P-CH 100V 140A TO-247 การสอบสวน
IXTH1N200P3 Image IXTH1N200P3 IXYS MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247 การสอบสวน
IXTH1N300P3HV Image IXTH1N300P3HV IXYS 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF การสอบสวน
IXTH102N20T Image IXTH102N20T IXYS MOSFET N-CH 200V 102A TO-247 การสอบสวน
IXTH102N15T Image IXTH102N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 การสอบสวน

ข่าว Latest