IXTH10N100D
IXTH10N100D
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXTH10N100D
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
17871 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXTH10N100D.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXTH10N100D เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXTH10N100D ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXTH10N100D กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:3.5V @ 250µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-247 (IXTH)
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:1.4 Ohm @ 10A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):400W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXTH10N100D
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:2500pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:130nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:Depletion Mode
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 1000V (1kV) 10A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):1000V (1kV)
ลักษณะ:MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:10A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ